cookieOptions = {...}; ‧ iPhone 6內部晶片揭秘 拍攝元件索尼製造 - 3S Market「全球智慧科技應用」市場資訊網

3S MARKET

3S MARKET
2014年9月26日 星期五

騰訊數碼 水藍

內置20億個電晶體(是A7的兩倍),並採用了台積電的20納米制程。

iPhone 6内部芯片揭秘 A8性能更强

隨著專業拆解機構iFixit蘋果iPhone 6iPhone 6 Plus的完全拆解,新一代iPhone的內部構造已經大白於天下。而現在, ChipWorks專業網站則又照例開始了他們對iPhone 6iPhone 6 Plus內部晶片的剖析圖,並為我們逐一解密了兩款iPhone 6所使用的晶片型號和特色。
NFC晶片揭秘 
iPhone 6内部芯片揭秘 A8性能更强

NFC功能是此次兩款iPhone 6加入的新功能,並且從此次拆解的圖片來看,確實是採用了NXP的方案。至於晶片表面上的編號“65V10”,則可以完全確定是NXP PN548,據稱是NXP專為蘋果設計的型號。同時從內核上的編號來看,這塊晶片在2012年便已經設計完成,而且在第二層模具上方出現了一些神秘的密集金屬層,但是否為NFC晶片的安全元素裝置,目前還沒有確切的資訊。
不過,此次兩款iPhone 6的加速計和陀螺儀並未如過去那樣採用法半導體的晶片,而是使用了InvenSense公司的解決方案,具體的型號為MP67B。此外,兩款iPhone 6並未發現電子羅盤,並且蘋果似乎採用了兩個加速計。具體來說,就是在InvenSense MPU7感測器旁邊還裝載了一個2×2毫米的博士感測器,但目前同樣不清楚蘋果此舉的目的所在。
A8處理器 
iPhone 6内部芯片揭秘 A8性能更强

而在大家最關注的處理器方面,兩款iPhone 6所採用的A8晶片按照官方的說法,內置20億個電晶體(是A7的兩倍),並採用了台積電的20納米制程,但體積大小要比A7晶片縮小了13%。同時A8晶片在CPU處理速度圖形性能上都有大幅的提升,並且能耗方面的表現也較之A750%的降低。
與以往iPhoneSOC部分一樣,兩款iPhone 6也是由處理器、記憶體PoP封裝在一起,上面為記憶體,下面則為A8晶片。而從拆解後得到的資訊來看,A8的零件編號為APL 1011,改變了以往“98”為尾碼的傳統模式(A4 APL0398A5 APL0498A6 APL0598A7 APL0698)。而封裝在上面部分的DRAM確實為1GB,整個晶片的日期代碼為1434,所代表的含義是今年八月份製造出品。除此之外,由於A8晶片的晶片的圖形處理能力增強,產生的熱量更多,所以此次採用了三排焊接技術。
iSightFaceTime 攝影模組 
iPhone 6内部芯片揭秘 A8性能更强

而攝影鏡頭模組方面,此次iPhone 6 iPhone 6 Plus所配的800萬像素iSight攝影鏡頭存在一定的差異,但都採用相位檢測自動對焦(AF)系統,據稱自動對焦速度要比上一代快兩倍,並且還能夠錄製30/60fps1080p影像,甚至慢速錄影能達到240幀。此外,iPhone 6 Plus還添加了光學圖像穩定(OIS)系統,其攝影鏡頭模組的尺寸為10.6×9.3×5.6毫米,由索尼製造,採用 Exmor RS背照式CMOS圖像感測器,具有1.5µm的像素面積,感測器部分的尺寸為4.8×6.1mm
不過,兩款iPhone 6FaceTime攝影機仍然為120萬像素,但鏡頭光圈增大了,可增加80%的進光量。至於其他晶片方面,iPhone 6iPhone 6 Plus都採用的是德州儀器DRV2604觸覺驅動器,也就是俗稱的振動馬達。而兩款機型上所使用的高通包絡追蹤晶片QFE1100則已經有超過16款機型採用,其中還包括三星GALAXY系列。

                                                                                                                                                                                                                            

0 comments: